Kiselnitrid Si3n4 Keramiskt substrat

Kiselnitrid Si3n4 Keramiskt substrat

Kiselnitrid Si3n4 Keramiskt substrat är en typ av avancerat material som används i många olika applikationer, från elektronik till flygindustrin. Den har en unik kombination av egenskaper som gör den till en av de mest mångsidiga och hållbara keramikerna som finns. Kiselnitrid är ett otroligt hårt och starkt material, vilket gör det mycket motståndskraftigt mot slitage. Den har utmärkt termisk stabilitet, vilket innebär att den tål höga temperaturer utan att försämras eller förlora sina egenskaper. Dessutom är det mycket elektriskt isolerande, vilket ger utmärkt isolering och skydd för elektriska komponenter.

Keramiskt substrat av kiselnitrid används i olika elektroniska komponenter, såsom krafthalvledare och lysdioder (LED), på grund av dess utmärkta värmeledningsförmåga och värmeavledningsegenskaper. Den används också i mekaniska applikationer, såsom höghastighetslager och skärverktyg, på grund av sin exceptionella styrka och seghet. Flygindustrin använder keramiskt substrat av kiselnitrid i högtemperaturapplikationer, såsom turbindelar, på grund av dess utmärkta värmechockbeständighet och oxidationsbeständighet.

Sammantaget är keramiskt substrat av kiselnitrid ett exceptionellt material med ett brett spektrum av applikationer. Dess hållbarhet, termiska stabilitet, elektriska isolering och mekaniska styrka gör den till ett populärt val i många olika branscher.

Du är välkommen att komma till vår fabrik för att köpa det senaste säljande, låga priset och högkvalitativa keramiska kiselnitridsubstratet. Torbo ser fram emot att samarbeta med dig.

Torbo® Silicon Nitride Si3n4 Keramiskt substrat

Artikel: Silicon Nitride Si3n4 Keramiskt substrat

Material: Si3N4

Färg: Grå

Tjocklek: 0,25-1mm

Ytbearbetning: Dubbelpolerad

Bulkdensitet: 3,24 g/㎤

Ytjämnhet Ra: 0,4μm

Böjhållfasthet: (3-punktsmetod):600-1000Mpa

Elasticitetsmodul: 310Gpa

Brottseghet (IF-metoden): 6,5 MPa･√m

Värmeledningsförmåga: 25°C 15-85 W/(m･K)

Dielektrisk förlustfaktor:0,4

Volymresistivitet: 25°C >1014 Ω･㎝

Nedbrytningsstyrka: DC >15㎸/㎜