Aluminiumnitridsubstrat

Mullitesubstrat(3 a1203. 2Si02): är en av de mest stabila kristallfaserna i det binära systemet A1203-Si02, även om mekanisk styrka och värmeledningsförmåga är låg jämfört med A1203, men dess dielektriska konstant låg, så det förväntas förbättra signalen ytterligare överföringshastighet. Värmeutvidgningskoefficienten är också låg, vilket kan minska den termiska spänningen hos LSI, och skillnaden i värmeutvidgningskoefficienten för ledarmaterialet Mo, W är liten, vilket har en låg spänning mellan ledaren under cykling.

Aluminiumnitridsubstrat:
a. Råmaterial: AIN är en icke-naturlig närvaro men ett konstgjort mineral 1862, syntetiserades först av Genther et al. Representationen av representationen av Aln-pulvret är att reducera nitridmetoden och den direkta nitrideringsmetoden. Den förra reagerar med en kolreduktion med hög renhet i A1203 och reagerar sedan med kväve, och den senare är direkt nitrering. ;

b. Tillverkningsmetod: A1203substrattillverkning kan användas vid tillverkning av AIN-substrat, där den maximala användningen av den organiska lamineringsmetoden, det vill säga AIN-råmaterialets pulver, ett organiskt lim och en lösningsmedel, tensidblandad keramisk slurry, passerad, laminat, varmpress, avfettning, brännande

C. Egenskaperna för AIN-substratet: AIN är mer än 10 gånger, och CTE matchar kiselskivan. AIN-materialet är relativt relaterat till A1203, isolationsresistansen, isoleringen och dielektricitetskonstanten är lägre. Dessa egenskaper är mycket sällsynta för förpackningssubstratapplikationer;

d. Användning: Används för VHF (Ultra High Frequency) Frequency Belt Power Amplifier Module, High Power Device och Laser Diode Substrat.